氧化錫(SnO2)為n型半導體，可在氣敏傳感器、玻璃電熔電極、熔制特種玻璃的坩堝、 晶體顯示器、光電探測器、太陽能電池、保護涂層以及變阻器方面得到廣泛的應用[1].純 SnO2由于表面擴散和蒸發-凝聚等非致密化質量傳輸機制，僅促使氣孔粗化與晶粒長大而 難以致密化[1~3),即使在1400C高溫下燒結也難以獲得高致密度的陶瓷材料[4]. ZnO12}、 Sb2O5]、V2O{6、Nb20['、CoOl8、Mn0Ol,9 、Li2Ol10] 和Cu11]等氧化物用作SnO2 陶瓷的燒結助劑均有文獻報道.其中CuO是特別有效的燒結助劑，低濃度添加(約1mol%), 即可獲得較高致密度的SnO2基陶瓷CeO2等稀土氧化物能與SnO2形成介穩態固溶體， 降低SnO2在高溫下的晶粒長大速率，從而抑制晶粒長大[12~14].聚合物前驅體法可以制備 成分均勻、化學配比準確、燒結性能良好的粉體，并且產率高，被廣泛地用來制備摻雜納米 粉體[15~17.本文首次采用聚合物法制備CeO2與CuO復合摻雜SnO2納米粉體，研究了納 米粉體的粒徑大小和形貌特征;并采用鳳谷陶瓷回轉窯燒結方法研究了摻雜SnO2納米粉體的燒結性能.